アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 25枚入 4×P型

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●ＯＦ長さ（ｍｍ）×ウェハー厚（μｍ）：３２．５±２．５×５２５±２５●製造方法：ＣＺ法●面方位：１００●ＯＦ位置：１１０●抵抗値：０．１〜１００Ω・ｃｍ●パーティクル：０．３μｍ、１０個以下●サイズ（インチ）×伝導型：４×Ｐ型●入数：１箱（２５枚）●特注対応品について●（１）方位（切断角度）、ＯＦ位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●（２）多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。●（３）ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●（４）８インチ、１２インチに関しては随時お問い合わせください。●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●生産国：日本

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